首 页
研究报告

医疗健康信息技术装备制造汽车及零部件文体教育现代服务业金融保险旅游酒店绿色环保能源电力化工新材料房地产建筑建材交通运输社消零售轻工业家电数码产品现代农业投资环境

产业规划

产业规划专题产业规划案例

可研报告

可研报告专题可研报告案例

商业计划书

商业计划书专题商业计划书案例

园区规划

园区规划专题园区规划案例

大健康

大健康专题大健康案例

行业新闻

产业新闻产业资讯产业投资产业数据产业科技产业政策

关于我们

公司简介发展历程品质保证公司新闻

当前位置:思瀚首页 >> 可研报告 >>  可研报告案例 >>  机械电子

福建省漳州市SiARC开发与产业化项目可行性研究报告立项审批
思瀚产业研究院 泓光半导体    2024-12-27

三层结构指 Tri-layer,特指光刻胶、SiARC 以及 SOC 三层光刻材料组合结构。

含硅抗反射涂层/SiARC指Silicon containing Anti-Reflection Coating,简称 SiARC,三层光刻工艺涉及光刻材料之一。

主营业务基本情况。公司致力于集成电路领域关键材料的研发与产业化应用,是境内少数具备12英寸集成电路晶圆制造关键材料研发和量产能力的创新企业之一,主要从事光刻材料和前驱体材料的研发、生产和销售。

公司产品主要应用于先进 NAND、DRAM 存储芯片与 90nm 技术节点及以下逻辑芯片生产制造的光刻、薄膜沉积等工艺环节,系集成电路晶圆制造不可或缺的关键材料。报告期内,公司已量产供货产品包括 SOC、BARC、i-Line 光刻胶、KrF 光刻胶等光刻材料以及 TEOS 等前驱体材料,量产供货款数随着产品验证通过而持续提升。

同时,公司持续开发新产品,包括 ArF 光刻胶、SiARC、TopCoating 等光刻材料和硅基、金属基前驱体材料均已进入客户验证流程。截至报告期末,公司自产产品在研发、验证以及量供款数累计已超过百款。此外,在境内集成电路供应链安全需求增加背景下,公司依靠对集成电路晶圆制造各类工艺的专业理解与技术积累,引进销售进口光刻材料、前驱体材料、电子特气及其他湿电子化学品等集成电路关键材料,创新性地走出了一条“引进、消化、吸收、再创新”的发展路径。公司客户涵盖了多家中国境内领先的晶圆厂,已实现境外同类产品替代,打破 12 英寸集成电路关键材料国外垄断。

公司成立于 2004 年,设立之初主要从事光电膜器件及视窗镜片产品的研发、生产以及销售。自 2014 年起,公司推进筹划业务转型,并确定以集成电路领域关键材料为业务转型战略方向。2017 年,公司引进的进口光刻材料与前驱体材料陆续通过多家境内主要 12 英寸集成电路晶圆厂验证,并实现常态化供应。

2020年以来,公司自产光刻材料与前驱体材料陆续通过多家客户验证并实现销售,并在 2022 年实现自产产品销售收入突破亿元大关。根据弗若斯特沙利文市场研究统计,在 12 英寸集成电路领域,公司自产光刻材料销售规模已排名境内同行前列,2023 年度,公司 SOC 与 BARC 销售规模均排名境内市场国产厂商第一位,在业内已具备较高知名度和影响力。2020 年开始,公司先后承接国家 02 科技重大专项子课题及国家发改委专项研究任务,并均已完成验收。

2023 年,公司新增承接多项国家多部委重要攻关任务。公司子公司福建泓光于 2020 年评为福建省集成电路光刻胶关键材料工程研究中心,并于 2022 年度被认定为国家级专精特新“小巨人”企业,其“集成电路用旋涂碳光刻胶材料研发及产业化”项目先后获得工信部指导或主办的“创响福建”一等奖和“创客中国”三等奖。

同时,公司在光刻材料与前驱体材料均有专利布局,截至报告期末,公司拥有专利 80 项,其中发明专利 30 项。公司立足于集成电路关键材料领域,以实现集成电路关键材料国产化应用为己任,坚持为客户提供品质优良、安全可靠的产品及服务。

经过多年研发与积累,公司已与境内主要 12 英寸集成电路晶圆厂形成良好合作关系,所销售产品用于客户核心工艺制程,并获得了客户颁发的“价值创造奖”和“研发合作奖”。公司将持续加大对集成电路关键材料的研发投入,致力通过不断丰富产品品种与应用领域,巩固加强公司在集成电路关键材料领域的市场地位。

1、项目概况

本项目拟投资 19,330.50 万元人民币。此投资将用于 SiARC 产品的开发和产业化。本项目有利于公司在已有的产品和研发能力基础上,制造在国内领先先的SiARC 产品,项目建成后公司预计每年将实现 1 亿元 SiARC 产品销售额。

BARC 材料细分领域众多,其中,SiARC 涂覆位置与 BARC 相似但分子结构与其他 BARC 有较大差异,在先进 NAND、DRAM 存储芯片与 40nm 技术节点以下逻辑芯片的关键层被广泛使用。如在 40nm 技术节点,光刻胶厚度一般仅为 100nm 左右,该厚度已无法有效阻挡反应离子刻蚀,在图形被完全刻蚀到衬底之前,光刻胶已经大量消耗,SiARC 由于含硅特性,在离子刻蚀时可提供较高的刻蚀选择性。

“三层结构”中,SiARC 涂覆于 SOC 上,共同解决光刻工艺过程中的刻蚀性能、间隙填充、平坦化性能以及反射率等问题。现阶段,“三层结构”在集成电路晶圆制造过程中已广泛应用,SiARC 需求随着境内晶圆厂量产能力提升而持续增长。

3、项目组织方式和建设工程预计进展情况

本项目实施主体为福建泓光半导体材料有限公司。公司将根据投资计划安排,按实施阶段分步进行。本项目的建设周期预计为 24 个月。

4、项目用地情况

本项目建设地点位于福建省漳州市,公司已取得闽(2021)漳州高新开发区不动产权第 0002138 号《不动产权证书》。

5、项目效益分析

本项目顺利建成投产后,达产年预计可实现销售收入 9,996.00 万元,达产年净利润 4,742.29 万元,财务内部收益率(税后)为 20.28%,税后投资回收期(含建设期)为 5.61 年,经济效益较好。

6、项目环保情况

(1)废气

本项目废气污染因子主要有物料储存、卸料、输送等过程和工艺尾气甲醇、NHMC,实验室和质检室废气硫酸雾、NHMC,以及车间和危废间的无组织废气。对不同的废气采取不同的治理措施。

(2)废水

本项目生产废水主要为尾气吸收废水、循环冷却水系统废水、纯水制备系统排放浓水,经厂区污水站处理和生活污水经三级化粪池处理后一起由市政管网排入污水处理厂。

(3)噪声

本项目的主要噪声源为各类泵、风机等设备的运转噪声,设备噪声级在 75~90dB 之间。经采取措施后,本项目产生噪声对环境影响不大。

(4)固体废物

本项目产生的废液、洗釜废液、实验室废液、研发车间废液、过滤器废滤芯、废包装桶、废活性炭、废抹布、废导热油委托有资质单位处置。包装活性炭等一般化学品的包装袋\桶交物资回收部门回收、生活垃圾由环卫部门定期清运填埋。

本项目已取得《漳州市生态环境局关于批复 SiARC 开发与产业化项目环境影响报告书的函》(漳高环评审〔2024〕书 3 号)。

完整版可行性研究报告依据国家部门及地方政府相关法律、法规、标准,本着客观、求实、科学、公正的原则,在现有能够掌握的资料和数据的基础上,主要就项目建设背景、需求分析及必要性、可行性、建设规模及内容、建设条件及方案、项目投资及资金来源、社会效益、经济效益以及项目建设的环境保护等方面逐一进行研究论证,以确定项目经济上的合理性、技术上的可行性,为项目投资主体和主管部门提供决策参考。

此报告为摘录公开部分。定制化编制政府立项审批备案、国资委备案、银行贷款、产业基金融资、内部董事会投资决策等用途可研报告可咨询思瀚产业研究院。

免责声明:
1.本站部分文章为转载,其目的在于传播更多信息,我们不对其准确性、完整性、及时性、有效性和适用性等任何的陈述和保证。本文仅代表作者本人观点,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。
2.思瀚研究院一贯高度重视知识产权保护并遵守中国各项知识产权法律。如涉及文章内容、版权等问题,我们将及时沟通与处理。