第三代半导体及 IGBT 技术研发项目可行性研究报告
思瀚产业研究院    2025-10-22

江苏长晶科技股份有限公司拟投资 18,976.34 万元，基于公司现有研发团队和技术积累，通过新增人员、新增实验场地、新购设备等方式，开展宽禁带 SiC 工艺平台开发建设及元器件产品技术研发、宽禁带氮化鎵元器件技术研发、IGBT 芯片工艺平台开发建设及 IGBT 器件及模块技术研发等，以进一步提升公司技术创新能力，预研储备新技术新产品，整体增强公司核心竞争力，为公司长期可持续发展提供技术支持。

本项目的实施主体为长晶科技，本项目建设地点为南京市江北新区华创路 65 号智能制造研发设计中心 T2 号楼，建设周期 3 年。

2、项目建设的必要性

（1）本项目有利于公司紧跟行业发展趋势，预研储备新产品和新技术

近年来，随着下游应用领域的持续拓展和深化，如在汽车领域，随着车载用电器件的不断增加，和电气化部件的大量集成，以及新能源电动汽车对续航里程和充电效率的高要求，对相应功率器件产品的耐压性、耐高温性、低能耗提出了更高要求。

在下游应用领域升级发展对功率器件产品提出了更高要求的前提和基础上，现阶段提升功率器件产品性能的方式主要有两种：一种是通过改变器件结构、优化工艺设计提升产品性能，如以沟槽结构取代平面结构的二极管、以独特的产品结构设计兼具 MOS 的高输入阻抗和三极管的低导通压降两方面的优点的 IGBT 功率器件等；

另一种则是通过提升半导体材料性能优化产品性能，如采用高阻单晶材料制造 VDMOS 芯片、研发以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代宽禁带半导体材料为基底的半导体产品等。

在此基础上，依托优良的产品性能，在下游应用领域发展带动下，二极管、MOS、IGBT 和碳化硅、氮化镓等第三代半导体产品市场规模持续扩张。

通过本次第三代半导体及 IGBT 技术研发项目的实施，公司将顺应行业技术发展趋势，进行“宽能隙氮化鎵元器件研发与产业化”、“宽能隙碳化硅元器件研发与产业化”、“高压 IGBT 产品研发与产业化”、“沟槽结构的双向瞬态电压抑制二极管 TTVS 产品技术开发”、“采用高阻单晶材料制造VDMOS 芯片的开发”等课题研发。因此通过本次项目的实施，公司将顺应半导体行业技术发展趋势，对新型半导体产品结构和新一代半导体材料进行预研，进行必要的技术储备，为提升公司核心竞争力，确保公司可持续发展奠定基础。

（2）本项目有利于助力我国高端功率器件产品国产化替代

目前我国半导体行业快速发展，行业技术水平与国际差距日益缩小。现阶段我国低压功率器件产品技术水平已实现与国际接轨，接近国际先进水平，已能初步实现相应产品的自给自足甚至留有余量可对外出口。但在中高压领域，如高压 IGBT 产品，由于其技术研发创新难度较高，国内技术水平与国际先进水平仍有较大差距，目前高压 IGBT 产品市场仍然被欧美企业所主导。

在第三代半导体研发领域，全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比第一代和第二代半导体而言，在宽禁带半导体（如碳化硅）领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小，因此第三代半导体是中国企业实现半导体行业快速发展以及本土化的重要赛道。且由于第三代半导体可广泛应用于多个国家前沿战略性行业，因此，相应技术的国产化研发也是避免核心技术受制于人，保证国防安全和国民经济稳定运行的关键。

通过本次研发中心项目的实施，公司一方面将对高压 IGBT 产品相关技术进行研发，以提升国产高压 IGBT 产品性能，争取在产品关键指标上与国际先进产品保持平齐；另一方面也将深入研发第三代半导体元器件，助力其国产化。因此本项目的顺利开展可以有效地补足国内高端 IGBT 器件和第三代半导体产品上的不足，对于赶超国外产品，实现国产替代，形成国内自有专利集群有着重要意义。

（3）本项目有利于增强公司研发能力和自主创新能力

新技术的研发和创新是企业提升现有产品性能、研发和生产新产品的关键和基础，是企业进行持续的产品升级、增加产品种类、增强自身服务能力和持续盈利能力的保障。

半导体行业作为一个技术驱动型行业，每一轮新的技术革命和变革都将重塑行业竞争格局，使得产品形态、功能以及下游客户需求在短时间内发生巨变，而这种技术变革带来的产品性能差距难以在短时间内进行复制，因此对行业内企业技术水平和持续创新能力有较高的要求。

3、项目建设的可行性

（1）项目建设符合国家政策指导方向

半导体行业作为现代信息产业的核心，其技术突破和创新发展得到《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2011 年度）》等国家政策的大力支持。本次第三代半导体及 IGBT 技术研发项目的实施是在公司现有技术积累的基础上，进行“宽能隙氮化鎵元器件研发与产业化”、“宽能隙碳化硅元器件研发与产业化”、“高压 IGBT 产品研发与产业化”、“沟槽结构的双向瞬态电压抑制二极管 TTVS 产品技术开发”、“采用高阻单晶材料制造 VDMOS 芯片的开发”等课题研发。因此本次项目实施符合国家政策指引，具有可行性。

（2）公司专业的技术团队为项目实施奠定良好基础

江苏长晶科技股份有限公司所属的半导体行业是典型的技术密集型行业。人才是技术创新的源泉和基础。公司自成立以来始终将人才队伍建设作为企业发展的核心驱动力，拥有一支年轻化，知识化，专业化的研发队伍，勇于创新，开拓进取。公司核心技术人员从事多年功率半导体产品研发，拥有丰富的专业知识和相关经验。

（3）公司充足的技术储备和研发基础为项目建设提供有力保障

公司是一家专注于半导体产品研发、设计、制造和销售的高新技术企业，现已建立健全二极管、三极管、MOSFET、电源管理 IC 等产品线，是中国半导体功率器件十强企业。公司高度重视技术研发和产品创新，具备独立的产品设计能力并搭建了自主产品工艺技术平台，新产品开发能力强，产品导入市场速度快。

截至 2022 年末，公司已取得了 168 项专利，其中发明专利 48 项，并取得了集成电路布图 69 项，形成了具有自主知识产权的核心技术体系。因此，公司充足的技术储备和研发基础为本次第三代半导体及 IGBT 技术研发项目的实施奠定了必备的技术基础，确保项目顺利实施。

4、项目投资概算

本项目总投资的概算表如下： 场地购置及装修 2,475.00万元；软硬件设备投资 5,055.42万元；

基本预备费 225.91 万元；技术开发支出 11,220.00万元；合计 18,976.34万元。

5、项目实施周期及进度安排

本项目预计建设期 3 年。

6、项目备案程序的履行情况

本项目已取得南京市江北新区管委会行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》（宁新区管审备〔2022〕299 号）。

本项目不涉及生产加工环节，不会对周围环境产生不良影响。根据《中华人民共和国环境影响评价法》、《建设项目环境影响评价分类管理名录（2021年版）》等相关规定，本项目无需取得环评批复或者环评备案。

7、项目实施地点与环境保护情况

本项目建设地点位于南京市江北新区华创路 65 号智能制造研发设计中心T2 号楼，长晶科技已于 2021 年 5 月 7 日与南京软件园科技发展有限公司签订《企业购房意见协议书》。

本项目不涉及污染物排放。

8、项目经济效益分析

本项目实施后，虽不产生直接的经济效益，但将提升公司整体研发实力及核心竞争力，研发实力的提升可增强客户对公司的信任度，进一步强化公司的品牌优势，扩大市场份额，实现公司长远的战略目标。

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