先进封装设备开发与制造中心募投项目可行性研究报告
思瀚产业研究院    2025-11-21

1、项目基本情况

本项目拟通过新建现代化的生产基地，购置先进的硬件设备，引入行业专业人才，对公司现有产品扩产，以满足日益增长的下游应用市场需求，扩大产品销售规模，巩固优势市场地位。

此外，在现有产品的基础上，成都莱普科技股份有限公司将应用在先进封装环节的高精度激光加工设备进行持续迭代升级并达成量产。项目建设完成后，公司在行业的竞争力和盈利能力将得到显著提升。

本项目拟新增专用激光加工设备产能 110 台，具体说明如下：激光解临时键合设备 20 台， 激光切割划片设备 20 台，晶圆激光隐切设备 5 台， 晶圆激光开槽划片设备 5 台，激光去溢胶设备 60 台。

莱普科技以先进精密激光技术及半导体创新工艺开发为核心，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产和销售，并提供相关技术服务。公司主要产品包括激光热处理设备与专用激光加工设备两大序列，已广泛应用于 12 英寸集成电路产线、先进封装产线，是国内少数同时为半导体前、后道工序提供前沿激光工艺设备的厂商。

先进精密激光技术贯穿应用于半导体制造及封装测试流程，具有低热预算、低应力、高精度、无接触、工艺时间灵活、工艺兼容性强等优势，可以精准选定工艺区域，是半导体 28nm 及以下制程、三维堆叠、同质集成、异构集成、Chiplets等先进制程和先进封装的关键支撑技术之一。

莱普科技始终以用户需求为牵引，立足于自主创新，面向半导体产业有针对性地开展先进精密激光技术、创新工艺和设备的研发工作，并延伸布局至精密电子及 MLED 等产业。公司依托自身在光学、机械、电气、软件算法以及半导体创新工艺等领域的深耕积累和人才培育，已具备为客户批量化供应先进激光工艺设备与解决方案的技术实力，成功赋能下游半导体制造工艺优化及先进产品开发，并助力我国存储芯片产业在全球竞争中形成局部领先地位。

同时，公司积极为国产零部件供应商提供产业验证机会，推动上游突破技术瓶颈、加速技术迭代。莱普科技现已适配国内半导体产业技术特征开发了多款原创性产品，并推出多款对标国际一流水平的半导体专用激光工艺设备，打破国际厂商在国内市场长期垄断局面。

报告期内，公司相关设备已部署于客户 A、客户 B、客户 C、华润微、士兰微、三安半导体、中车时代、客户 D、华天科技、达迩科技等主流半导体厂商的先进制程和先进封装产线，并成功应用于先进制程 3D NAND Flash 存储芯片、先进制程 DRAM 存储芯片、28nm 及以下先进制程逻辑芯片、SiC 功率芯片、沟槽栅型 IGBT 功率芯片、先进电源管理芯片、BSI-CCD 芯片量产，以及国产 HBM 芯片工艺研发等前沿应用场景。

莱普科技是国家高新技术企业和国家级“专精特新”重点小巨人企业，2024年四川省重点“小巨人”企业，入选“2024年成都市集成电路产业链链主企业”。自成立以来，公司已承担国家某部委应用专项攻关任务，建成了四川省企业技术中心、四川省先进全固态激光工程技术研究中心，并与中国科学院半导体研究所、合作单位 A、合作单位 B 就半导体新型工艺开发建立合作研发机制。

公司荣获集成电路创新联盟第六届和第七届“IC 创新奖-产业链合作奖”，是本奖项设立以来唯一获奖的激光热处理设备供应商，也是唯一连续获得本奖项的半导体设备供应商；公司另获中国通信工业协会“2020 年度半导体设备卓越创新奖”、客户 A“2024 年度优秀技术支持团队”、 客户 A“协同创新奖”、客户 B“新锐突破奖”、客户 B“研发合作奖”等奖项。

2、项目投资概算

本项目预计总投资 13,970.46 万元，场地建造费 4,750.00 万元， 硬件设备购置 2,872.12 万元， 研发人员薪酬 2,979.38万元，基本预备费 212.03 万元，铺底流动资金 3,156.94 万元。

3、项目投资进度安排

本项目预计建设期为 3 年，其中第一年投资金额为 4,845.00 万元，第二年投资金额为 4,497.41 万元，第三年投资金额为 4,628.05 万元。

4、项目实施规划

本项目建设期为 3 年，项目开展将按照场地土建及装修、设备购置安装及调试、人员招募及培训和投入生产进度来安排。

5、项目涉及土地使用权情况

本项目场地选址于四川省成都高新区西园街道青龙村 3 社，项目拟使用建筑面积为 8,000.00 平方米。公司已取得编号为“川（2023）成都市不动产权第0327410 号”的土地权属证明。

6、项目备案及环评情况

本项目已办理投资项目备案，取得成都市高新区发展改革局出具的编号为“川投资备【2306-510109-04-01-709214】FGQB-0341 号”的《四川省固定资产投资项目备案表》。

本项目不涉及向相关部门办理环境影响评价手续的情形。

7、成立以来主营业务、主要产品或服务、主要经营模式的演变情况

公司自 2003 年成立以来一直专注于先进精密激光技术及相关设备研发，主要产品的演变和技术发展情况如下：

（1）自设立起即专注于激光工艺技术（2003 年-2008 年）

激光技术是二十世纪与原子能、半导体及计算机齐名的四项重大发明之一，公司设立之初即充分意识到激光工艺技术在未来先进制造领域的巨大应用潜力及广阔市场前景，因此确立了以激光工艺技术为核心驱动的发展战略。公司持续投入研发资源，汇聚激光技术专家与科研人才，全力攻克激光技术开发及应用难题。基于彼时国内制造业全面蓬勃发展的状况，公司研究并开发了若干项激光技术及其延伸产品，公司积极探索激光工艺技术在传统工业领域中的应用，推出了激光打标机、激光焊接机、激光切割机、激光内雕机等产品。

（2）响应国家产业需求，切入激光工艺半导体设备领域（2008 年-2020 年）

受益于第三次半导体产业转移，中国大陆持续承接转移的半导体产能，并催生了大量微纳加工工艺需求。公司基于多年来对激光应用技术的开发与理解，准确把握行业发展趋势，并将业务重心聚焦至半导体领域，面向国家产业需求针对性开发激光工艺半导体设备。2008 年，公司成功推出面向半导体封装测试领域的专用加工设备。

此后，公司业务布局持续向半导体前道工艺延伸，于 2013 年在工艺平台上采用激光方式实现离子激活与扩散并形成了自有的硼离子注入激光激活技术；2014 年，公司在前述技术基础上自主研发了第一代光学系统，设计开发出适配的激光退火工艺，并于同年完成了原型机台的开发工作；2015 年，公司结合下游半导体器件制造过程中的定制化需求，开发出适配的深磷激活特色工艺，形成 6 寸/8 寸晶圆退火机台并进入客户量产线验证；2018 年，公司生产的硅基超浅结退火机设备以及 SiC 激光退火设备通过工艺验证；2019 年，公司 8 英寸 IGBT 激光退火机台通过量产验证。

（3）完善业务布局，服务先进集成电路制造，实现业绩快速增长（2020 年至今）

2020 年后，全球以及我国集成电路产业的发展出现了新的趋势，主要表现在：第一，在技术层面，依赖 EUV 的传统路线面临物理瓶颈以及成本激增等问题，产业界加大了三维堆叠集成、新材料新器件等创新路线的研发，其中三维堆叠集成被认为是能够借助目前装备和工艺提供“超越摩尔”能力的最佳路线；第二，国际形势动荡变化，不可预测性加大，使得国内的集成电路产业立足国产材料供应商、国产装备供应商等开展研发和生产的迫切性加强，为国产装备企业带来发展契机。基于前期在集成电路领域先进激光加工技术和装备方面的积累，以及与头部和客户的良好合作关系，公司主动积极布局先进集成电路制造领域业务。

2021 年，公司面向客户 A 的国产先进架构 3D NAND Flash 制造工艺需求开发激光诱导结晶设备（LIC）并于次年验证通过；2022 年，公司面向客户 C 的先进制程 DRAM 制造工艺需求开发了激光诱导外延生长设备（LIEG）并于 2024年验证通过；2023 年公司面向先进制程逻辑芯片制造工艺需求开发了超浅结激光退火设备（USJLA）并于 2024 年验证通过；2024 年公司面向先进制程逻辑芯片制造工艺需求开发了动态表面合金设备（DALA）并于 2025 年验证通过；2024年公司面向三维集成电路制造需求开发了激光解键合设备并发往国内领先晶圆厂验证。

前述设备成功助力我国集成电路产业前沿技术突破，并推动公司经营业绩快速增长。长期以来持续的创新案例是公司自身技术实力与服务能力的有力佐证，公司已成为下游多家头部晶圆厂客户在创新工艺开发过程的重要伙伴之一。

未来，公司将基于半导体等下游产业的激光热处理及激光加工需求进一步完善业务布局，持续推进产品矩阵的多元化发展与深度优化，协助客户创新突破、降本增效，并增强自身市场竞争能力、抗风险能力以及盈利能力。

8、主要业务经营情况和核心技术产业化情况

莱普科技以先进精密激光技术为核心，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产和销售，并提供相关技术服务。报告期各期，公司主营业务收入分别为7,216.31 万元、18,644.42 万元、27,793.12 万元和 3,623.28 万元，最近三年复合增长率达 96.25%；净利润分别为-938.22 万元、2,279.87 万元、5,491.16 万元和68.32 万元，呈现出良好的成长性。

公司围绕先进精密激光技术的产业应用需求建立了覆盖光、机、电、算以及半导体工艺的全流程核心技术体系，面向半导体制造、封装测试、精密电子制造等行业推出多款技术产品，切实满足客户在集成电路先进制程等高端应用场景下低热预算、高空间精度且时域可调的热处理工艺需求，以及高精度、低热应力激光微纳加工工艺需求。报告期内，公司核心技术的产业化随着公司设备产品对外交付及服务提供而持续得到实践与深化

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