基于 eNVM 工艺平台的 MCU 关键技术研发项目可行性研究报告
思瀚产业研究院    2025-12-22

丰富的产品组合和技术优势，使公司能响应客户的多元化需求，为设计调整制造工艺，成功实现客户的产品性能和设计目标。同时，公司积极布局行业前瞻领域，打造硅光及光电融合芯片、微控制器、存算一体芯片等产业平台，进一步拓宽前沿科技的下游应用市场。

1、项目概况

公司将基于现有 180nm-95nm eNVM 工艺基础，开发 40nm eNVM 工艺技术平台的核心关键技术，以推出具备全球竞争力的超低功耗、高可靠性 MCU（微控制器）工艺技术。本项目将结合超低功耗逻辑工艺，采用 SONOS（硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅）技术实现存储单元内嵌。

本项目规划总投资额 6.50 亿元。通过实施本项目，公司将具备 40nm eNVM 工艺的生产能力，满足工业控制、汽车电子、人工智能、物联网等战略新兴产业对高性能 MCU 的需求。

2、项目投资概算

本项目规划总投资额 6.50 亿元， 研发设备购置费 4.00 亿元， 委外测试/外包、EDA 工具 0.30 亿元， 第三方 IP 授权费用 0.50亿元， 研发光罩及晶圆耗材 0.70亿元，人力费用 1.00 亿元。

3、项目周期和时间进度

本项目的研发周期约为 60 个月，公司将根据市场需求、研发计划及研发资金规划等情况逐步开展项目的研发工作。

4、技术风险

工艺技术平台迭代不达预期的风险。公司的工艺技术平台围绕应用于“感、传、算、存、控、显”等功能的模拟和数模混合芯片，逐步实现了多品类布局，已形成 MS、HV、CIS、BCD、eNVM、MOSFET、IGBT、SiPho 等工艺技术平台，技术节点覆盖 180nm-55nm，可提供多种工艺技术平台和多样化制程节点的一站式解决方案，产品可广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和人工智能等领域。

未来，公司将紧跟全球半导体行业发展及国家半导体产业政策趋势，在硅光及光电融合芯片、微控制器、存算一体芯片等多个领域加大研发投入，逐步拓宽深化公司技术平台和产品应用，实现 22nm 及以上制程全覆盖。公司所处的晶圆代工行业技术门槛高，技术研发验证周期长，如公司无法及时完成相关技术平台的研发以响应市场需求，将对公司的市场竞争力及市场份额造成不利影响。

5、平台多样化：布局全链路产品矩阵，构筑技术护城河

公司的工艺技术平台围绕应用于“感、传、算、存、控、显”等功能的模拟和数模混合芯片，逐步实现了多品类布局，已形成 MS、HV、CIS、BCD、eNVM、MOSFET、IGBT、SiPho 等工艺技术平台，工艺制程覆盖 180nm-55nm，构建了完整的“感知-传输-计算-存储-控制-显示”全链路技术矩阵。产品线覆盖指纹识别芯片、LCD 及 LED 显示驱动芯片、电子标签显示驱动芯片、CMOS 图像传感器、电源管理芯片、功率器件、硅光芯片等终端产品，可应用于消费电子、工业控制、汽车电子和人工智能等领域。

（四）公司的科技创新、模式创新、业态创新和新旧产业融合情况

晶圆代工作为半导体行业垂直化、专业化分工的关键环节，是半导体制造产业的核心构成。模拟芯片的性能（如低失真、高信噪比、可靠性与稳定性）更依赖于工艺创新与器件优化，需通过特色工艺与设计的深度融合实现，而非仅通过制程缩小。

公司采用特色工艺晶圆代工的创新模式，深度协同芯片设计公司及终端客户，推动需求、设计与制造的协同优化，以高标准满足其特色工艺需求，增加其产品差异化和竞争力，逐步突破国内高端模拟、数模混合、硅光及光电融合芯片的技术瓶颈。此外，公司致力于特色工艺制程技术的创新优化，积极布局自有知识产权体系，由研发实力雄厚的技术研发团队进行自有技术的开发，构建完整全面的技术体系。

公司的工艺技术平台已涵盖 MS、HV、CIS、BCD、eNVM、MOSFET、IGBT、SiPho 等平台的制造能力，可为客户提供 180-55nm 等制程节点的特色工艺晶圆代工服务。截至 2025 年 6 月 30 日，公司已获授权专利（含境外专利）681项，其中发明专利 312 项。

公司先后被评为广东省工程技术研究中心、广东省重点项目、广州市独角兽创新企业等，在集成电路制造领域构建了坚实的技术壁垒。综上，公司依托特色工艺晶圆代工的创新模式，有力支持芯片设计企业及终端客户，同时通过积极构建自有知识产权体系、拓展多元工艺技术平台，已具备较强的市场竞争力和较高的行业认可度。未来，公司将持续聚焦科技创新与模式升级，持续致力于加速高端模拟、数模混合、硅光及光电融合芯片的全面国产替代进程。

公司在集成电路制造领域，经过长期的技术积淀，形成了 MS（混合信号）、HV（高压显示驱动）、CIS（CMOS 图像传感器）、eNVM（嵌入式非易失存储器）、BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）和 SiPho（硅光）等工艺技术平台。功率器件领域，公司拥有 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）工艺技术平台。

丰富的产品组合和技术优势，使公司能快速响应客户需求，为客户产品设计需求调整制造工艺，成功实现客户的产品性能和设计目标。同时，公司积极布局行业前瞻领域，打造硅光及光电融合芯片、微控制器、存算一体芯片等产业平台，进一步拓宽前沿科技的下游市场。公司面向广阔的模拟芯片应用市场，以客户需求为先，推动设计、制造和终端产业链的优化协同，提供多元化平台和多样制程节点的特色工艺一站式解决方案，助力中国模拟芯片产业链的技术迭代和创新升级，对于中国实现集成电路产业链的自主可控，发挥了重要的作用。

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