全球存储芯片产业转移
思瀚产业研究院    2025-12-22

存储芯片转移路线：美国-日本-韩国-中国

全球存储技术起源于美国，此后经历了两次区域转移。1969 年，美国加州AdvancedMemory System 公司成功生产出世界上首款 DRAM 芯片，容量达1KB；此后，英特尔（Intel）、德州仪器（Tl）、莫斯泰克（Mostek）等存储厂商持续发展。

1970年，英特尔推出首款 DRAM 芯片 C1103，成为全球畅销的半导体内存产品之一；1971年和 1973 年，德州仪器分别推出 2K DRAM、4K DRAM，成为后续存储行业技术迭代与产业扩张的关键；1976 年，莫斯泰克推出 16K 容量的DRAM芯片MK4116，将DRAM 市场占有率提升至 75%。

第一次区域转移：1976 年，日本以举国体制成立超大规模集成电路（VLSI）联合研发体，集中资源突破半导体技术瓶颈；1977 年，在该研发体技术支持下，日本成功研制出 64K DRAM，追平美国公司的研发进度；1980 年代初期，富士通、日立等厂商凭借稳定质量和价格优势持续发力，逐步反超美国企业；1986 年，日本存储器产品全球市场占有率攀升至 65%，超过美国的 30%；伴随日美贸易摩擦加剧，美国通过《广场协议》逼迫日元升值、发起半导体反倾销诉讼等手段持续施压，最终导致日本存储芯片市场份额逐步下降。

第二次区域转移：韩国 Samsung 电子等企业利用美日半导体竞争的契机，通过持续技术迭代升级脱颖而出，逐渐赶超日本。1978 年，Samsung 集团布局半导体业务，旗下 Samsung 电子开启存储芯片自主研发征程；1983 年，Samsung电子完成16KDRAM 的研发，向技术前沿迈进；1986 年 10 月，Samsung 参与韩国政府推出的“VLSI 共同开发技术计划”，联合 LG、现代两大集团及韩国六所大学攻关DRAM核心技术；1988 年，完成 4M DRAM 研发，技术层面追平日本；1990年8月，公司研发出世界第三款 64M DRAM；至 1996 年，Samsung 成功研发出世界首款1GBDRAM，自此正式成为存储芯片领域的世界级领跑者。

随着中国企业在存储芯片领域的技术突破、产能扩张与国产替代加速，全球存储芯片产业正呈现出逐步向中国转移的明确趋势。

美国存储芯片代表企业：Micron

Micron（美光）是全球重要的存储芯片制造商。公司自1978 年成立于美国以来，高度聚焦存储赛道，主要产品涵盖 DRAM、NAND Flash、NOR 内存，被广泛应用于数据中心、客户端设备、消费电子、工业、图形、汽车及网络等领域。2025 年，公司实现营业收入 373.78 亿美元（同比+48.85%），2020-2025年复合增长率达11.76%。2025年Micron毛利率为39.79%，相较于上一年增加17.44PCT。

分产品看，2024 年 Micron 核心业务聚焦于计算机和互联网业务、移动业务，营业收入分别为 95.1 亿美元（占比 37.9%）、63.5 亿美元（占比25.3%）。2025年，公司进一步推进业务向存储核心场景聚焦，云存储业务成为新的营收主力，实现营收约135.2亿美元（占比36.2%）；移动和客户端业务营收约118.6亿美元（占比31.7%）；核心数据中心、汽车及嵌入式等存储关联业务亦同步实现增长，占比分别达19.3%、12.7%。

分地区看，公司积极拓展全球市场，核心客户覆盖美国、中国等主要区域。2025年按国家及地区划分，Micron 营收占比前三的分别为美国（64.5%）、中国台湾地区（15.2%）、中国内地（7.1%）。此外，公司加码日本广岛的AI 存储工厂投资（96亿美元），该基地将重点服务亚太及欧洲的 AI 客户；同时持续维持中国西安封测基地的运营，同步引入全新产线，可输出涵盖移动 DRAM、NANDFlash及SSD在内的更丰富产品及解决方案，进一步强化其现有的封装与测试能力。

Micron 8 层堆叠 24GB HBM3E 已开始随 NVIDIA H200 Tensor Core GPU出货，量产型 12 层堆叠 36GB HBM3E 也已上市供应。该 12 层堆叠HBM3E 内存立方体的带宽超 1.2TB/s，相较于 8 层堆叠版本，容量提升 50%。

2025 年 7 月 30 日，Micron 宣布其第九代 3D TLC NAND Flash 正式量产出货。这款 G9 NAND 拥有业界最高的 3.6GB/s I/O 传输速率，相较于前代产品（2.4GB/s），性能提升达 50%；同时，其在读取、写入表现上分别实现99%、88%的优化提升，还具备“全球密度最高 NAND Flash”的特性——NAND Flash 密度提升73%、空间效率优化 28%，目前该 NAND 已搭载于 Micron2650 SSD 产品中。

公司积极绑定 AI 行业巨头，构建定制化供应链。Micron HBM3E 全面适配NVIDIAHopper、Blackwell 系列 GPU；与此同时，公司联合 NVIDIA 推出全球首款SOCAMM内存模组，这是一款模块化 LPDDR5X 内存解决方案，专为支持NVIDIAGB300Grace Blackwell Ultra 超级芯片量身打造。

此外，Micron 宣布终止 Crucial（英睿达）品牌相关业务，计划于2026年2月底前全面停止消费级内存及 SSD 产品的零售业务，将释放的产能与资源全面聚焦于AI 数据中心、企业级市场等高利润领域，进一步强化高端存储赛道的布局力度。

日韩存储芯片代表企业：Kioxia，SK Hynix

Kioxia（铠侠）为全球存储器解决方案领导者，总部位于日本东京，专注于闪存及SSD的研发、生产与销售。其创新 3D 闪存 BiCS FLASH™，定义高端手机、PC、汽车、数据中心等高密度应用的存储未来；零售产品线含存储卡、闪存盘等，满足终端用户随时随地的数字存储需求。

2025 年，公司实现营业收入 114.95 亿美元（同比+58.51%），2023-2025年复合增长率达 9.17%；2025 年 Kioxia 毛利率为 33.37%，相较于上一年增加45.38PCT。

2024 年 7 月 3 日，Kioxia 宣布基于第八代 BiCS FLASH™3D 闪存技术的2TbQLC存储器启动送样。该产品采用新一代 CBA 架构，相比前代BiCS FLASH实现了50%的存储密度提升，这一优化让它成为业界容量最大的2Tb QLC 闪存，既能助力AI数据中心、服务器实现小空间大容量部署，也能升级终端存储，支撑数据密集型应用落地。

SK Hynix（SK 海力士）是全球顶尖的半导体存储解决方案供应商，核心产品覆盖DRAM、NAND Flash 及 HBM 等关键存储品类。公司不仅掌握领先的3DNAND堆叠工艺，旗下高带宽内存（如 HBM3e）更成为 AI 芯片（GPU）的核心配套存储，可直接支撑生成式 AI 的高算力数据吞吐需求，相关解决方案已广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子等领域。2024 年，公司实现营业收入 454.71 亿美元（同比+102.02%），2020-2024年复合增长率达 11.59%。2024 年 SK Hynix 毛利率为 48.08%，相较于上一年增加49.71PCT。

2025 年 11 月 4 日，SK Hynix CEO Kwak Noh-Jung 在韩国首尔举办的“SKAISummit 2025”峰会上，正式公布 2026-2031 年产品落地规划：明确分阶段推出HBM 系列（Standard 与 Custom 双线并行），同步推进AI 专用存储（AI-D、AI-N系列），并推动通用 DRAM 及 Standard NAND 的规模化落地。

在 HBM 系列领域，公司预计 2026-2028 年推出 HBM4 16 层堆叠产品，并从HBM4E开始供应定制化 HBM 解决方案。定制化 HBM 是将 GPU 和ASIC 芯片特定功能整合到 HBM 基础裸片的产品，可最大限度释放 GPU 和 ASIC 性能，同时减少数据传输功耗；2029-2031 年，SK Hynix 将全面进入 HBM5 世代。SK Hynix 的 12 层 HBM4 样品已实现 2TB/s 带宽，较前代提升60%以上，计划2025下半年完成量产准备。目前，公司占据全球 HBM 市场50%以上份额，是NVIDIAAIGPU 的 HBM3/HBM3E 独家供应商。

为应对市场需求，SK Hynix 进一步细分 AI DRAM（AI-D）产品线，推出三大核心解决方案，协同覆盖性能优化、技术突破与场景拓展。

1）AI-D Optimization是低功耗、高性能DRAM产品，旨在降低总体拥有成本（TCO）、提升运营效率，解决方案涵盖 MRDIMM（多路复用双列直插式内存模块）、SOCAMM（小型外形压缩附着内存模块，适用于 AI 服务器的低功耗DRAM内存模块）及LPDDR5R（用于移动产品，具备可靠性、可用性、可服务性（RAS）特性的低电压DRAM）。

2）AI-D Breakthrough 的突破得益于超高容量内存与灵活内存分配特性，解决方案包含 CMM（下一代高效连接 CPU、GPU、内存及其他元件的界面技术）与PIM（解决 AI 与大数据处理数据移动瓶颈的技术）。

3）AI-D Expansion 旨在拓展 DRAM 应用场景，从数据中心延伸至机器人、移动性（mobility）及工业自动化等领域。

在 AI NAND（AI-N）方面，SK hynix 也在布局三种下一代存储解决方案。

1）AI-N Performance 聚焦超高性能提升，专为高效处理大规模AI 推理任务产生的海量数据打造。通过突破存储与 AI 运算瓶颈，显著提升处理速度与能效，SKhynix计划推出新结构 NAND 及控制器，2026 年底前出样。

2）AI-N Bandwidth 通过半导体晶粒垂直堆叠扩大带宽，用于弥补HBM容量增长瓶颈，核心是结合 HBM 堆叠结构与高密度低成本 NAND 闪存。

3）AI-D Density 着力于密度提升，以超高容量强化成本竞争力，是低功耗、低成本存储海量 AI 数据的高密度解决方案。

中国存储芯片代表企业：长江存储，长鑫存储，江波龙

长江存储科技有限责任公司是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案于一体的存储器 IDM 企业。公司为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片、消费级与企业级固态硬盘等产品及解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等核心领域。2018 年，长江存储首次推出晶栈® Xtacking 全新架构。该架构凭借CMOS-Array混合键合技术实现不同工艺的解耦设计，有效释放 3D NAND Flash 的技术潜力，具备更快的 IO 速度、更高的存储密度及更优的品质可靠性与数据耐久度。

作为国产存储龙头，长江存储虽成立时间晚于 Samsung、SK hynix、KIOXIA、Micron等国际存储巨头，但依托 Xtacking 堆叠架构这一自主研发的核心技术突破，成功实现 3D NAND Flash 工艺的快速迭代，同时达成产能规模的持续突破。2025年9月，长江存储三期项目主体正式成立，注册资本达 207.2 亿元，为公司进一步扩大产能规模、深化核心技术布局奠定了坚实基础。

长鑫存储作为国内领先的一体化存储器制造企业，专注于DRAM领域，业务覆盖芯片设计、研发、生产及销售全链条。公司凭借技术团队的丰富研发经验与核心创新能力，推出多款商用 DRAM 产品，广泛应用于移动终端、个人电脑、服务器、虚拟现实及物联网等多元应用场景。

长鑫存储产能从 2019 年 2 万片/月提升至 2024 年 20 万片/月（CAGR达58.5%），核心得益于发展阶段的战略布局支撑：2020-2024 年，公司持续推进北京、合肥等生产基地的设备投入与产线扩建，为产能爬坡提供了坚实支撑；同时，产品从DDR4向 LPDDR5、DDR5 迭代升级，精准适配了更大范围的市场需求，推动了产能的快速增长。

长鑫存储已在国内率先实现 DDR5 及 LPDDR5X 存储芯片的技术突破，成为国内少数具备该代际产品研发与量产能力的企业。DDR5 是第五代双倍速率同步动态随机存储器。长鑫存储的DDR5 颗粒最高速率突破 8000Mbps，颗粒容量覆盖 16Gb/24Gb，产品功耗较DDR4 降低20%。该内存芯片融入片内错误检查与自纠错机制，搭配更强抗干扰设计，有效保障工作稳定性与数据完整性。

LPDDR5X 是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计，长鑫存储 LPDDR5X 在容量、速率、功耗上都有显著提升，目前提供12Gb 和 16Gb 两种单颗粒容量，最高速率达到 10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代 LPDDR5 提升了 66%，同时可以兼容 LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。

江波龙是全球领先的半导体存储企业，专注于半导体存储产品的研发、设计、封装测试与销售。公司核心产品囊括嵌入式存储、固态硬盘、移动存储、内存条。这些产品广泛应用于主流消费类智能终端（如智能手机、可穿戴设备、电脑等）、数据中心、汽车电子、物联网、工业控制等领域，同时覆盖个人消费级存储零售市场。

2024 年，公司实现营业收入 174.6 亿元（同比+72.5%），2022-2024年复合增长率达 44.8%；2024 年公司毛利率为 19.1%，同比提升10.9 pct。营收增长主要得益于：1）2024 年公司优化现有产品组合，提升产品质量与市场竞争力。尤其在 NAND Flash 领域，加快面向企业级应用的高性能eSSD（PCIeGen5.0）布局，进一步扩大在云计算、互联网及电信领域的应用覆盖；2）公司进一步完善全球存储市场布局。公司通过投资苏州、中山及巴西主要工厂，借助市场先进技术与工艺强化封测制造技术积累及工艺水平，持续提升产品质量；3）加强品牌建设以增强全球影响力，有效提升客户对 Lexar、FORESEE 及 Zilia 三大品牌的忠诚度。

产品布局上，公司聚焦消费电子、数据中心等核心领域，提供高质量NANDFlash与 DRAM 存储芯片产品。2024 年公司产品涵盖嵌入式存储、固态硬盘、移动存储及内存条四大品类：其中嵌入式存储为核心产品，不仅品类丰富且性能强劲，可适配多场景需求；固态硬盘则属于大容量 NAND Flash 存储产品，能满足笔记本电脑、台式机、一体机、视频监控及网络终端等场景的应用需求。2024 年嵌入式存储与固态硬盘的营收合计占比达 72.0%。

公司营业收入主要来自境外客户，2020-2024 年境外营收占总营收比重维持在70%以上。公司境外营收从 2020 年的 61.7 亿元增长至2024 年的124.3 亿元，复合增长率达 19.2%。