(1)项目内容
IoT 芯片除对射频性能、超低功耗性能的要求较高以外,目前发展的趋势对芯片处理及存储能力的要求也不断提升,同时还需要持续提升芯片的集成度并缩小芯片面积。
先进制程工艺以及先进的封装技术,可以不断提升芯片的性能、增加芯片的功能、提高芯片的集成度。 公司现有主流产品采用 55nm 工艺,行业领先企业如 Apple、华为等公司已 在手机、智能穿戴等产品中普遍采用 7nm、10nm 制程工艺,甚至更低的 5nm 制 程工艺也已经较大规模应用。
为了持续确保公司产品的市场竞争力,公司拟在 14nm、12nm 或者更先进的工艺制程上进行持续跟进、投入,并计划应用先进的 封装技术,将先进制程以及先进封装技术进一步结合起来,不断打造集成度高、 性能优异的产品。 本项目拟投资金额 30,000 万元,投资时间为 2025~2028 年。
(2)项目可实施条件及可行性说明
公司目前拥有高水平的芯片设计能力和丰富的芯片设计经验,在多模物联网芯片的研发上更是居于行业前列。经过多年发展,公司 Bluetooth LE 产品线、 ZigBee 系列产品线、2.4G 系列产品线已经形成了成熟的开发经验。
经过多年合 作,公司和中芯国际、台积电等国际晶圆代工厂保持了良好的合作,并且在 180nm、162nm、153nm、55nm、22nm 等工艺节点进行了长期的技术积累,针 对不同工艺节点的开发具备了丰富的处理经验,形成了一系列设计知识产权。 本项目与公司的研发能力、销售能力、运营能力和管理能力相适应。
公司经过多年的发展,积累了丰富的研发经验,拥有专业的技术和管理团队,具备从事 先进制程的工艺导入项目所需的人员、技术、管理经验。
本项目的实施基于公司发展规划制定,有利于公司进一步推进产品迭代和技术创新,扩张公司主营业务规模,进而全面提升公司核心竞争力和产品市场占有率,项目具备可行性。
公司现有大规模量产的主流产品采用55nm工艺,行业领先企业如Apple、 华为等公司已在手机、智能穿戴等产品中普遍采用7nm、10nm制程工艺,甚至更低的5nm制程工艺也已经较大规模应用。
为了持续确保公司产品的市场竞争力,公司新一代芯片产品需要应对更为复杂的产品需求,更多元应用环境、更高集成度的片上系统,更强大的性能优势。公司的在研项目已经在多个产品上导入22nm超低漏电工艺制程,预计在发展与科技储备项目开始前,公司在低 功耗多模物联网芯片,低功耗蓝牙以及双模蓝牙芯片,Zigbee/Thread芯片,2.4G 芯片,以及无线音频芯片等众多产品线上形成55nm,40nm,22nm等多种工艺并存,多层次布局的产品分步。
在发展与科技储备项目中,公司拟在14nm、12nm 或者更先进的工艺制程上进行持续跟进、投入,将各类产品中对于工艺需求高的 高端产品进行迭代演进,对照公司已经开始采用的22nm工艺制程来说, 14/12nm是工艺制程的自然延伸,有助于公司形成有序的产品进化和层次分布; 公司也计划应用先进的封装技术,将先进制程以及先进封装技术进一步结合起 来,不断打造集成度高、性能优异的产品。