28 纳米逻辑及 OLED 芯片工艺平台研发项目
思瀚产业研究院    2023-11-08

（1）项目基本情况

晶合集成持续深耕先进工艺，在未来40nm等技术开发完成的基础上，公司将进一步开发28nm逻辑平台和28nmOLED显示驱动工艺平台：在制程方面，28纳米将开发后闸极的高介电常数金属闸极（HKMG）制程提供更快速、更低功耗的元件性能，同时采用Low-K超低介电质材料以降低后段金属导线的漏电；在元件方面，提供多种不同阈值的组件（0.9V/1.8V/2.5V等）供客户设计使用。

同时，该项目将导入业界最先进的金属闸极工艺（HKMG），不仅能够大幅减小漏电，还能有效降低栅极电容，提升电晶管驱动能力。

上述研发项目完成后，公司将具备生产28纳米逻辑芯片、无线逻辑芯片和OLED面板驱动芯片的技术能力，终端应用包括物联网、无线逻辑传输、高端手机屏幕等。

（2）项目投资概算

本项目将组建约200人的研发团队，总投资为24.5亿元，主要包括主机台设备投资、测试软硬件费用和人力费用。

（3）项目周期和时间进度

本项目预计于2022年第三季度开始实施，具体时间节点如下：

2022年第三季度：28 纳米逻辑及 OLED 芯片工艺平台项目启动

2025年底：完成 28纳米 OLED/逻辑芯片工艺平台开发