全球及中国碳化硅功率半导体分立器件市场规模及驱动因素
思瀚产业研究院 飛速創新    2025-08-10

碳化硅分立器件是电子电路中独立工作的独立电子元件，每个器件都设计用于执行特定功能。这些器件是电子系统中必不可少的组成部分，以其独特的电气特性而区别，广泛用于放大、整流和稳压任务。碳化硅分立器件的主要类别包括二极管和晶体管，它们各自具有独特的特性，适用于各种应用，尤其是在高功率、高温和高频等苛刻的条件下。

• 碳化硅分立二极管：这些器件仅允许电流沿一个方向流动，在将交流转换为直流的整流电路中非常有效。碳化硅二极管因其能够承受高电压和高温，同时保持高效的开关性能，在电力电子领域表现出色。碳化硅的关键优势在于其宽禁带，与传统硅二极管相比，其能量损耗更低、运行速度更快，是电源、新能源汽车和可再生能源系统等应用的理想选择。

• 碳化硅分立晶体管：这些元件用于放大或切换电子信号和电力。它们用小输入信号控制大电流，可以有效地用作开关或放大器。碳化硅晶体管是各种电子系统的组成部分，从基本开关机制到计算机和数字设备中的複杂电路。其中，MOSFET因其低导通电阻和卓越的热稳定性，成为高效应用的首选。

全球及中国碳化硅功率半导体分立器件市场规模

预计未来十年全球碳化硅分立器件市场将显著增长。2020年至2024年，该市场的年複合增长率预计为32.2%，销售收入从2020年的人民币16亿元增长至2024年的人民币50亿元。预计这种强劲增长势头将在接下来一段时间内持续，2024年至2029年，市场年複合增长率将达到42.4%，2029年销售收入将达到人民币294亿元。

在此全球背景下，中国碳化硅分立器件市场预计也将大幅增长。2020年至2024年，中国市场以65.4%的年複合增长率增长，销售收入从2020年的人民币3亿元增长至2024年的人民币19亿元，2024年对全球市场的贡献率达38.4%。预计下一阶段将继续保持该增长势头，2024年至2029年的年複合增长率将达50.4%，2029年销售收入将达人民币149亿元，对全球市场的贡献率达50.5%。

全球及中国功率半导体分立器件行业的关键驱动因素

技术进步、更高的良率和更低的成本推动中国碳化硅分立器件增长。中国碳化硅分立器件行业的发展得益于技术进步、更高的良率和更低的成本。近年来，中国在碳化硅研究和产业化方面取得了重大进展。6吋衬底和外延技术的成熟提高了良率和成本效益。例如，6吋衬底上的微管密度缺陷已从早期的10/cm2下降到不足1/cm2，质量显著提升。

此外，向更大尺寸衬底（例如8吋晶圆）转变，理论上可以将制造成本降低高达60%。国产设备和工艺的进步也在降低成本方面发挥了至关重要的作用。这些因素共同增强了碳化硅分立器件的市场竞争力，推动其在各种应用中的普及。

随著碳化硅材料价格持续下降，碳化硅功率半导体正在抢佔硅基功率半导体市场。全球碳化硅分立器件市场需求激增，主要原因是碳化硅材料成本下降。成本降低对于碳化硅功率半导体从传统硅基半导体中抢佔市场份额至关重要。随著碳化硅价格竞争力提升，其在功率半导体应用中的经济效益日益显现，推动其在各行各业的广泛应用。随著碳化硅的卓越性能获得认可以及材料成本持续下降，碳化硅功率半导体将在全球和中国市场扩大其影响力，标志着行业的重大转变。

全球及中国功率半导体分立器件市场趋势

更大衬底尺寸降低了分立器件整体生产成本。碳化硅分立器件行业的一个主要趋势是向更大衬底尺寸发展，这有望大幅降低生产成本。随著技术能力和制造规模的提升，向更大晶圆直径过渡变得既实用又具有成本效益。这种转变可使每个晶圆生产更多芯片，降低单位成本，从而提高效率。因此，该行业受益于成本竞争力的增强，这可能会加快碳化硅分立器件的普及，并通过使这些高性能解决方案更加经济实惠来扩大市场份额。

器件正朝著更低导通电阻、更小元胞尺寸、更低开关损耗和更好的栅极氧化层保护的方向发展。碳化硅分立器件领域正朝著更低导通电阻、更小元胞尺寸、更低开关损耗和更好的栅极氧化层保护的产品方向发展。这些发展受功率半导体应用对更高效率和性能的需求所推动。更低的导通电阻使碳化硅功率器件能够以最低能量损耗处理更高电流，这对于高功率和高频应用至关重要。

更小的元胞尺寸可提高功率密度，在给定空间内可容纳更多器件，并减小功率模块尺寸。降低开关损耗可提高效率和热管理，这对于新能源汽车和可再生能源系统等应用至关重要。增强的栅极氧化层保护可确保在严苛条件下的长期可靠性。这些创新使碳化硅分立器件成为下一代电力电子产品的基石，提升了其竞争力和多功能性。

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