SOC 系晶圆制造光刻工艺必备光刻材料之一
思瀚产业研究院    2024-12-27

SOC 主要包括用于存储芯片生产为主的高温 SOC 与用于逻辑芯片生产为主的低温 SOC，广泛应用于先进 NAND、DRAM 存储芯片与 45nm 技术节点以下逻辑芯片光刻工艺。

SOC 系光刻工艺衬底上旋涂的第一层材料，有效解决光刻过程中的平坦度、刻蚀持久性以及抗反射能力问题，同时，SOC 系“三层结构”的核心材料之一，随着 FinFET 器件技术广泛应用，“三层结构”已开始取代“两层结构”，SOC 已属于晶圆制造光刻工艺必备关键光刻材料。SOC 发展趋势主要系基于晶圆制造光刻工艺的持续升级与优化。

一方面，由于 SOC 材料特性，使其同时具备较好抗反射能力与优良刻蚀持久性与纵横比，并能够在光刻工艺后被除去。因此，在晶圆制造工艺日趋复杂的发展趋势下，对SOC 使用量将成倍提升；另一方面，“三层结构”对提高图形解析度与保真度方面均效果显著，且在工艺异常时可通过返工工艺避免晶圆报废，能够一定程度弥补境内 EUV 光刻工艺缺失的技术短板，促进境内晶圆制造工艺与关键材料国产化的发展，相应推动 SOC 规模进一步增长；

与此同时，随着境内先进 NAND、DRAM 存储芯片如多层堆叠的 3D NAND 和 18nm 及以下的 DRAM 等 SOC 使用量较高产品的生产技术日趋成熟，产能产量日益提升，对 SOC 需求和使用量将持续扩大。

根据弗若斯特沙利文市场研究，境内 SOC 市场规模呈现持续上升趋势，从2019 年 6.5 亿元增长至2023 年 13.3 亿元，年复合增长率达 19.6%，预计 2028 年境内 SOC 市场规模将增长至 43.7 亿元，年复合增长率为 26.8%。因此，预计 2023年至 2028 年，境内 SOC 年复合增长率将高于光刻材料整体年复合增长率，SOC在光刻材料中占比将日益提升。

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