AI 芯片功耗提高,金刚石散热成为未来重要解决方案。随着 2.5D/3D 异构集成技术(如 CoWoS、SOIC)的普及,芯片内部的热流密度呈指数级上升。局部热点不仅会导致漏电流增加,更会引发电迁移和热应力,严重影响芯片寿命和算力释放。在众多导热材料中,金刚石凭借其优异的物理特性脱颖而出。
金刚石散热的技术路径包括四种:CVD 金刚石热沉片、金刚石/金属复合材料、CVD金刚石涂层、金刚石材料与微通道液冷集成散热。
1. 全球多家公司争先入局金刚石散热
金刚石散热较为早期,各家公司都处于早期技术研发、测试阶段,收入体量较小。
随着金刚石散热在 AI 芯片散热领域的应用前景愈加明晰,全球产业链正加速布局。美国企业在直接键合和系统级应用上占据先发优势,而中国大陆企业则依托在超硬材料领域的深厚积累,迅速向半导体级金刚石转型。
2. 金刚石散热市场空间广阔
根据思瀚数据,全球服务器液冷总体市场空间将从 2026 年的 125.7 亿美元增长至2030 年的 535.1 亿美元。假设 2030 年金刚石散热价值量占液冷市场的 10%,则市场规模有 54 亿美元。
3. 大规模商业化落地仍有多方面问题
热膨胀系数不匹配导致“翘曲”。金刚石与硅(Si)、碳化硅(SiC)等芯片常用衬底的热膨胀系数差异较大。通过 CVD 工艺在异质衬底上高温生长出来的金刚石,在降温剥离时内部会积聚巨大的应力,导致毫米甚至厘米级的形变。这种微小的翘曲对于纳米级精度的 AI 芯片晶圆工艺是致命的,会导致后续的抛光、切割、金属化等工序良率暴跌。
高额的“界面热阻”。如果金刚石无法与芯片实现原子级的紧密键合,中间微小的缝隙或常规导热膏(TIM)就会变成新的散热瓶颈。如何实现低应力、无缝的原子级键合,直接决定了其散热性能能否真正体现出来。
材料加工难。金刚石是自然界中硬度最高的物质,这导致对其进行后道加工极其困难。超精密表面减薄与抛光极慢:为满足半导体产线需求,金刚石晶圆的表面粗糙度通常需要控制在 Ra < 1nm。因为太硬,常规的机械抛光效率极低,需要采用昂贵的化学机械抛光(CMP)或等离子体抛光,加工周期长,产能受限。切割与金属化困难:将大尺寸金刚石晶圆切割成适配 GPU 核心大小的微型热沉时,常规刀具完全失效,必须依赖精密激光切割。但在激光高温作用下,金刚石容易转化为石墨(碳化),导致边缘精度的控制难度和报废率极高。
经济性难点。虽然多晶金刚石(PCD)已经在向 4 英寸、8 英寸晶圆迈进,但热导率 2000W/m·K 以上的高质量、大尺寸金刚石制备成本依然较高。虽然采用金刚石散热可以使芯片整体温度降低、能耗下降,但前期昂贵的材料引入成本和低良率带来的溢价,让很多下游服务器厂商和云服务商在算力 ROI(投资回报率)上感到压力。