需求爆发驱动电容全面通胀：AI 电容市场快速膨胀
思瀚产业研究院    2026-06-01

AI 服务器内部的电容并非单一品类，而是按照物理位置与响应速度形成一套分级结构。最贴近芯片的是 MLCC 与 MLPC，部署在 GPU/CPU 周边，承担纳秒级的电压滤波，负责抹平最高频的电压纹波；向外一级是 PSU 电源侧的牛角型铝电解电容，承担毫秒级的中间级滤波，平滑电源转换环节的电流波动；再向外是机柜电源架的超级电容，承担毫秒至秒级的储能调峰，顶住 GPU 集体拉满功率时的瞬时缺口；最外层则是 UPS 与柴油发电机承担的分钟到小时级备电。

响应越快的环节越贴近芯片，缓冲时间越长的环节越靠外，四级缓存逐级接力。这套分级结构决定了不同电容之间是功能互补而非相互替代——位置不同、响应速度不同、承担的波动频段不同。机柜功率密度越高、脉冲幅度越大，每一级缓存的用量与价值量都同步抬升。

1、AI 需求爆发推动电容用量呈数量级膨胀

AI 算力基础设施的资本开支正处于高速扩张期。据 IDC 数据，全球人工智能投资额从 2021年的 929.5 亿美元增长至2026 年预计的 3014.3 亿美元，复合年增长率约 26.5%。

算力规模的快速扩张，叠加单机柜电容用量随功率密度逐代抬升，使 AI 服务器对电容的总需求呈数量级膨胀——单机柜 MLCC 用量沿 H100 的约 4.8 万颗、GB300 的约 44 万颗、VR200 的约60 万颗、Rubin Ultra NVL576 的约 430 万颗逐代跃升，超级电容则从 GB200 时代的从无到有走向标配。在量与价的双重驱动下，AI 用电容市场正从被动元件中的配套环节，快速膨胀为高景气的核心增量赛道。

2、供需剪刀差形成，被动元件进入全品类涨价周期

需求暴增的同时，供给端高度集中且扩产周期长，供需剪刀差正在形成。据村田制作所预估，AI 服务器用 MLCC 需求将以年均约 30%的速度扩大，2030 年较 2025 年增加约 3.3倍；据 Mordor Intelligence，全球 MLCC 市场规模将从 2025 年的 272.5 亿美元增长至2030年的 611.2 亿美元。供给端，村田、三星电机等头部厂商高端产能利用率长期维持高位，新增高端产能有限，高端料号生产对稀土与高纯钛酸钡有一定依赖，进一步放大扩产难度。

供需剪刀差直接传导至价格。2025 年下半年以来，被动元件进入全品类、多轮次、跨区域涨价周期：AI 服务器专用及车规级高端 MLCC 调价幅度达15%-35%，太阳诱电对部分消费级与车用 MLCC 调价约 6%-13%，高端 MLCC 交期由 8 周拉长至 16-24 周，行业库存降至多年低位；钽电容因 AI 需求带动同步进入涨价通道。从 MLCC 到钽电容、铝电解电容，电容环节正呈现全面通胀的格局。

3、电容复制存储量价齐升路径，全面通胀逻辑加速兑现存

储已经验证过算力链上一个核心环节的量价齐升路径。HBM 作为 AI 算力链的核心存储组件，其涨价背后是“AI 服务器需求暴增→产能转向高端→中低端供给紧缩→价格反向传导”的产业逻辑。电容正在复制这一路径：需求侧，AI 服务器电容用量较普通服务器抬升一个量级；供给侧，高端料号产能集中于少数海外厂商且扩产受限；价格侧，现货价与长约价同步抬升。从需求结构、供给约束、价格曲线三个维度看，电容环节已具备复制存储量价齐升的核心条件，全面通胀逻辑正在加速兑现。

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