AI服务器带动高端铜箔量利双升，国产化加速
思瀚产业研究院    2026-06-12

铜箔是PCB的核心材料，随AI服务器升级

铜箔是AI算力硬件的"神经脉络"，贯穿服务器→PCB→CCL全产业链：

◆ PCB：是AI服务器的物理骨架与信号高速公路。单机内含6-8块功能异构的PCB板，按价值量可分为三层：高速互联层（GPU加速卡、NVSwitch基板、网卡板，占单机PCB价值量70%+，层数24-32层，铜箔等级HVLP-3/4/5）、通用计算层（主板、背板，占20%，14-16层）、配电与辅助层（电源板等，占10%，8层以下）。随着GPU平台迭代，PCB的层数、面积、铜箔代际同步升级。

◆ CCL（覆铜板）：是PCB的基材，占PCB成本的50-60%，由树脂（环氧树脂）+玻璃纤维布+铜箔压制而成。树脂提供绝缘和粘合，玻纤布提供机械强度，铜箔提供导电通路。

◆ 铜箔：是CCL的核心导电层，占CCL成本约30%，直接决定信号传输质量。铜箔表面粗糙度（Rz）越小，高频信号损耗越低。铜箔有光面和毛面之分，光面用于精细线路蚀刻，毛面用于与树脂结合增强附着力。

GPU升级驱动铜箔代际跃升：信号速率提升是核心驱动力

◆ GPU平台迭代是铜箔代际升级的核心驱动力。英伟达芯片信号速率从A100的56G NRZ跃升至Rubin的448GPAM4，速率每翻一倍，对铜箔表面粗糙度的要求就降低一个数量级——从RTF的Rz 2-5μm，到HVLP-3的<1.5μm，再到HVLP-4的<1.0μm，直至HVLP-5的<0.5μm（行业基本HVLP1-2为一个代际，3-4为一个代际，5尚未使用）。

◆ 核心原理在于趋肤效应的物理约束。高速信号在铜箔中传输时，电流并非均匀分布，而是集中在表面极薄的纳米级深度内。铜箔表面越粗糙，信号在凹凸处散射越严重，插入损耗和误码率随之指数级上升。当信号速率达到112G PAM4（H100平台），RTF铜箔的损耗已无法满足PCIe 6.0标准的信号完整性要求，HVLP铜箔成为刚性需求。同时，光模块向1.6T升级，带动载体铜箔需求。

载体铜箔：技术壁垒最高，AI光模块/先进封装核心材料

◆ 载体铜箔（DTH）技术壁垒极高、盈利能力最强，是全球铜箔产业中技术难度最大、附加值最高的品类。其厚度仅1.5-3μm，采用"载体层+剥离层+超薄铜箔"三层结构，通过磁控溅射或电沉积制备。核心难点在于剥离层配方需精确控制剥离力，超薄铜箔均匀性要求纳米级精度，表面轮廓Rz≤1.5μm以便"闪蚀"工艺，行业良率约60%。

◆ 载体铜箔是全球最赚钱的铜箔品类，单平价格10-15美元/㎡，毛利率50-80%，净利率40-50%。主要用于IC载板、mSAP工艺、CoWoP封装、存储芯片（HBM）及800G/1.6T光模块PCB。我们预计26年全球载体铜箔需求约5000-6000万平，其中AI相关领域需求1500万平左右（光模块1.6T按照2500万个*0.023㎡*14层约80万平+800G的50万平），由于AI相关领域27-28年有望维持翻番增长，总体载体铜箔可实现20-30%增长。全球主要由三井金属和卢森堡铜箔两家供应，截至2025年，三井月产能400万平+，占据全球95%份额。

AI服务器升级，带动铜箔显著升级及用量提升

◆AI服务器算力升级驱动铜箔用量与铜箔代际双升。AI服务中高端铜箔主要用于OAM、UBB和主板三大区域，背板和网卡为副板，基本可使用RTF。GB200中OAM主要使用HVLP1-2，UBB和主板使用HVLP3-4，因此单台服务器高端铜箔使用量为12kg左右；而GB300均使用HVLP3-4，对应高端铜箔使用量为30kg左右（50张CCL，单张铜箔重量0.5-0.8kg）。Rubin系列，OAM和UBB层数增加，且新增CPX主板和Mid Plane，高端铜箔用量增加至40kg，若LPU应用，则单台服务器高端铜箔用量有望提升至近100kg。

◆全球 AI 服务器出货量高增且平台迭代，对应拉动高端铜箔需求：以英伟达为例，25年出货量以GB200为主，26年切换至GB300，预计出货量5.5万台，27年切换至Rubin，出货量预计8万台+，同时预计英伟达占全球60-70%的份额。因此我们测算2026年高端铜箔（HVLP3-4）的需求2.4万吨，27年预计需求5万吨，预计28年近7万吨。

电子铜箔传统需求稳健，高端铜箔贡献增量

◆ 25年总体出货量及增速：全球电子铜箔出货量我们预计达62-63万吨，同比增长约6-8%。受益于AI服务器放量及高速通信设备升级，高端铜箔（HVLP/RTF）增速显著高于行业平均。

◆ 25年的需求结构情况：标箔约45万吨，占比73%左右，主要应用于普通消费电子、汽车电子及一般工业领域，增速平稳；RTF+HVLP接近20万吨，占比27%，AI服务器及超高速交换机为核心增量，供不应求态势明显。

高端铜箔产能集中海外，中国厂商开始起量

◆ HVLP3+产能2.5-3万吨，高端产能集中海外。2026年全球高端铜箔（HVLP3+）名义产能2.9万吨/年，实际有效供给约1.8-2.0万吨/年。 三井金属0.9万吨、卢森堡铜箔0.5万吨、中国台湾金居0.4万吨，三家合计1.8万吨，占全球高端产能62%，但实际供给我们预计占80-90%。

◆ 高端产能扩产滞后，订单外溢趋势明确，国内厂商订单从中端逐步升级到高端。 2027-2028年AI服务器向M8升级，HVLP4需求爆发，但海外厂商产能集中去做高端后，中端HVLP1-2订单将外溢到已通过认证的国内厂商。国内厂商HVLP3-4代加速高端铜箔认证，预计26H2铜冠、德福有望实现批量出货。

高端铜箔核心工艺难点在于表面处理

◆ HVLP3+高端铜箔生产分为溶铜造液、生箔制造、表面处理、分切包装四个环节。溶铜造液需控制杂质<1ppm；生箔制造阴极辊Ra<0.2μm，电流密度>60A/dm²；表面处理HVLP3/4分别要求Rz<2.0/1.5μm；分切包装厚度精度±3%，针孔<5个/m²。

◆ 核心难点：一是杂质<1ppm，微量Fe、Cl导致针孔；二是阴极辊Ra<0.2μm，全球仅日本能做，交货>18个月；三是表面处理设备精度要求极高（如日本三船后处理设备），纳米级粗化尺寸过大高频损耗、过小结合力不足；四是HVLP3良率仅70%、HVLP4仅50%，国内厂商良率更低。

表面处理机产能有限，限制高端铜箔扩产

◆ 高端铜箔扩产面临设备瓶颈，核心设备为表面处理机和生箔机，其中表面处理机难度更大。高端表面处理机全球产能高度集中于日本三船，年产能仅8-10台（单台产能3000吨，1万吨需3台，对应投资1亿+），交付周期24-30个月，订单已排至2028年（基本被德福锁定），是AI铜箔扩产的核心瓶颈。

◆ 生箔机方面，阴极辊海外厂商精度领先但格局分散，日本新日铁、三船、TEX西工业等均可供应；国产厂商已实现4-6μm极薄铜箔阴极辊批量出货，交货周期缩短至3-6个月，有效缓解了阴极辊瓶颈，部分HVLP3+生箔机及高端表面处理机仍以进口为主。生箔机（含电解槽等）1万吨需20-30台，单台的价值量需600-700万，对应1万吨投资1亿，加上电源设备、基建等，高端铜箔1万吨capex需6亿左右。

高端铜箔认证周期长，下游客户集中度高

◆ 高端铜箔认证壁垒高、周期长，国内厂商加速送样。铜箔厂商需从RTF起步，逐步升级至HVLP1-2、HVLP3-4代，每代6-12个月验证周期，全程1-3年系统级认证。英伟达、AMD、Intel及华为昇腾等国产算力厂商对铜箔代际要求严格，仅认证全球少数龙头。

◆ 特殊CCL台系垄断，格局相对集中。2024年全球特殊CCL台光电子市场份额约22%（全球第一），其次为联茂、台耀，台系合计超45%；松下9%；国内生益科技开始突破。

高端铜箔供需缺口扩大，加工费或进一步上涨

◆ 供给缺口扩大：26年HVLP3代以上名义产能3万吨左右，但部分产能尚未进入主流供应链，实际有效产能我们预计2-2.5万吨，基本可满足需求，头部三井、金居等产能供不应求；27-28年需求爆发，而行业年均增量产能4万吨左右（实际有效更低），因此我们预计27-28出现供给缺口，加工费具备上涨空间。

◆ 高端电子铜箔加工费高盈利好，且具备进一步上涨空间：HVLP3加工费10-15万/吨，单吨利润5-7万；HVLP4加工费15-20万/吨，单吨利润10万+。Hvlp3和4代产能基本上可互相切换。

国内铜箔厂商迎来发展良机，加速高端铜箔认证

◆ 核心逻辑之一：供不应求，海外头部厂商集中产能做高端产品，rtf和hvlp1-2代订单外溢至国内厂商。国内厂商基本可实现RTF1-2代量产，头部铜冠、德福可实现RTF3和HVLP1-2的大规模出货，其余厂商加快认证进度，我们预计27年可以实现出货。

◆ 核心逻辑之二：国内厂商加紧高端的HVLP3代及以上送样，26年开始小批量，27-28年有望大规模放量。国内高端铜箔厂商铜冠和德福迅速，HVLP4产品已通过部分客户测试。

更多行业研究分析请参考思瀚产业研究院官网，同时思瀚产业研究院亦提供行研报告、可研报告（立项审批备案、银行贷款、投资决策、集团上会）、产业规划、园区规划、商业计划书（股权融资、招商合资、内部决策）、专项调研、建筑设计、境外投资报告等相关咨询服务方案。