后照式CMOS图像传感器芯片工艺平台研发项目可行性研究报告
思瀚产业研究院 晶合集成    2023-11-08

1、项目可行性和必要性

（1）推进先进技术，强化技术竞争力

集成电路产业是按“摩尔定律”快速进步的产业，终端应用的不断升级和多样化推动着工艺技术的持续进步。先进技术节点是未来集成电路晶圆代工行业发展的主要驱动力。

通过实施合肥晶合集成电路先进工艺研发项目，公司将自主开发40/28纳米的更先进工艺及微控制器与后照式CMOS图像传感器芯片工艺技术等，进一步强化公司技术竞争力。公司亦将持续引进业内高级技术人才，从各方面提升公司研发实力。

（2）填补国内芯片产能空缺，满足市场需求

在高端CMOS图像传感器领域，国内外市场主要被索尼、三星等日韩厂商所主导。公司研发项目所开发的后照式CMOS图像传感器芯片技术，可有效打破国外龙头公司“卡脖子”垄断状态，满足国内庞大的市场需求。

受惠于5G、智能汽车及物联网的飞速发展，车用电子、物联网应用的市场需求也日益壮大，该等应用所需的55/40/28纳米制程产能紧缺，尚不足以满足市场需求。公司拟进行的55/40纳米微控制器芯片及28纳米OLED显示驱动及逻辑芯片的开发，将有助于缓解目前国内“缺芯”的情况。

（3）下游市场空间巨大

受益于物联网、汽车电子、5G等创新应用领域市场蓬勃发展，图像传感器、OLED显示驱动及AIoT的市场规模巨大。图像传感器全球销售规模预计从2020年至2024年间将以7.6%的年复合增长率继续增长，而中国市场规模年复合增长率则达8.1%；OLED显示器方面，2021年，中国OLED产业市场规模为423亿美元，到2026年，这一市场将增长到879亿美元，中国将持续作为世界最大的OLED显示市场；AIoT终端方面，2019年全球AIoT市场规模为51亿美元，2024年将增长至162亿美元，复合年增长率为26.0％。

（4）公司具备技术储备，可最大程度发挥研发优势

公司已建立完整技术研发团队，并自主开发成功覆盖多种产品应用的工艺技术，具备相关技术储备。后照式CMOS图像传感器芯片工艺平台方面，公司将以现有90纳米前照式CMOS图像传感器工艺平台及55纳米工艺平台技术为基础，进行90/55纳米后照式图像传感器技术的开发。微控制器芯片工艺平台方面，公司将基于现有的55纳米逻辑制程技术，结合现有110纳米微控制器芯片制造工艺技术，自主开发完成40纳米微控制器芯片工艺技术。

（5）加强资产完整性，收购合肥蓝科土地及厂房

为加强资产完整性和独立性，本次项目拟包括收购目前由公司租用的合肥蓝科土地及厂房。收购后将有效加强公司资产完整性，降低对公司控股股东和关联方的依赖程度、减少关联交易，降低未来风险。

2、项目基本情况

本项目将基于晶合集成已量产的90nm前照式（FSI）CMOS图像传感器工艺平台，开发90nm及55nm后照式（BSI）CMOS图像传感器工艺平台，重点开发方向包括器件、工艺、性能等方面。

和国内主流的8英寸集成电路110nm前照式图像传感技术相比，公司该项目将要开发的90nm及55nm后照式（BSI）CMOS图像传感器工艺平台可获得更高的感亮度和量子效率、更宽广感光角度、更低像素串扰、更高成像品质等优势，可生产超高画素及质量要求之终端产品上，广泛用于高端安防监控系统、智能车载环视及后视摄像头及高端智能手机等终端设备。

上述研发项目完成后，公司将具备生产后照式CMOS图像传感器芯片的技术能力，终端应用包括手机、无人机、单眼相机、中画幅相机、安防监控等。

3、项目投资概算

本项目将组建约50人的研发团队，总投资为6.0亿元，主要包括主机台设备投资、测试软硬件费用和人力费用。

4、项目周期和时间进度

本项目于2021年第四季度开始实施，具体时间节点如下：

2021年第四季度：后照式 CMOS图像传感器芯片工艺平台项目启动

2022年第二季度：完成 90纳米后照式 CMOS 图像传感器芯工艺平台开发

2023年第四季度：完成 55纳米后照式 CMOS 图像传感器芯工艺平台开发