PCB载板化，mSAP工艺带来设备价值抬升
思瀚产业研究院    2026-06-26

1、受益于AI PCB硬件升级，mSAP工艺关注度提高

过往mSAP工艺主要应用于手机主板、BT载板领域。

1.6T光模块对PCB性能要求提升，需要使用mSAP工艺。1.6T光模块采用8×224Gbps PAM4通道设计，奈奎斯特频率高达56GHz，信号对插损、回波损耗、串扰及阻抗波动极度敏感，且OSFPXD封装尺寸受限，需在有限空间内集成16-20层线路，线宽/线距需缩小至15μm/15μm，布线密度大幅提升。传统减成法蚀刻精度低、线路侧壁不规则，无法实现细线路和高阻抗稳定性，而mSAP通过超薄种子铜层、图形电镀、闪蚀等流程，可实现陡直的线路侧壁和±1-2μm的线宽公差，有效降低信号损耗，适配高密度互联需求。

面向未来，CoWoP工艺的渗透、NPO的渗透将进一步打开mSAP工艺的使用空间。

CoWoP工艺要求最底层的PCB达到类载板级别的线宽线距。伴随封装技术的持续推进，CoWoP工艺（Chip-On-Wafer-On-PCB）提上产业化日程。相比于CoWoS工艺（Chip-On-Wafer-OnSubstrate），CoWoP工艺省略了封装基板，因此对最底层的PCB提出了接近载板化的布线要求。线宽线距的缩小倒逼PCB厂使用mSAP工艺进行布线。

NPO工艺需要更精细的线路以提供更高的带宽。NPO（近封装光学）虽然将光引擎从交换机外的可插拔模块中搬到Switch ASIC旁，但实质上光引擎与ASIC仍共存于系统级PCB上，信号传输依靠PCB走线。伴随信号传输速率的不断提高，奈奎斯特频率越高/趋肤效应加剧，需要更高的铜表面质量。另外带宽需求的提高带动更密集的SerDes走线要求，需要进一步缩小线宽线距。需要使用mSAP工艺。

2、 PCB升级，从Tenting法到mSAP法再到SAP法

从Tenting法-mSAP法-SAP法，本质上是为了做出更加精密的线路。

Tenting法为传统主流工艺。以12μm底铜的覆铜板为起点，经激光钻孔+除胶→水平电镀沉铜（1-2μm）→VCP垂直电镀增厚→贴干膜→曝光显影（线路处干膜聚合）→蚀刻去铜→剥膜成型留下线路。核心逻辑为“全铜减去多余”，工艺成熟、成本低，但铜层越厚侧蚀越严重，线宽/间距（L/S）极限约35μm，难以满足高密度互联需求。

现阶段主流的HDI、高多层（高频高速）等PCB主要都使用Tenting法进行加工。

mSAP法为改良型半加成法。核心层的加工仍然为Tenting工艺，在增层上使用mSAP工艺。增层以2μm底铜的载体铜箔（种子层）为起点，经激光钻孔+除胶→闪镀沉铜增厚（3-5μm）→贴膜→曝光显影（非线路处干膜聚合）→蚀刻去铜（非线路处的铜被去除掉）→VCP电镀增厚+填孔（使得线路与激光孔铜厚增加很多）→剥膜闪蚀（把被干膜覆盖的非线路部分种子层快速刻蚀掉，而线路上的铜晶格发生变化不会被刻蚀）。核心逻辑为“种子层薄易去除+VCP加成增厚出电路”，由于种子层较薄，因此可减轻侧蚀，线宽/间距极限约15μm，初步满足高密度互联的需求。

mSAP工艺主要应用在SLP（类载板）领域，如苹果手机主板、BT载板（存储）、1.6T光模块PCB，以及潜在使用的CoWoP工艺、NPO。

SAP法为半加成法，与mSAP法有较大重叠度。SAP法从绝缘材料出发，需先压合ABF膜，后在ABF膜上闪镀一层0.3-0.5μm的铜层作为种子层。后续的流程与mSAP均相同。SAP法可将线宽线距缩小到15μm以下。

SAP工艺主要应用在ABF载板与玻璃基板领域。

3、mSAP工艺下钻孔/曝光/电镀/成型环节均有受益

mSAP工艺对设备提出了更高的要求。

①曝光设备：线宽线距降低至15μm，LDI设备需实现±0.5μm的成像精度和±1.5μm的对位精度，确保细线路图形的精准呈现，芯碁微装LDI设备已经实现15μm线宽线距能力；另外洪镭光学也有对应设备布局（洪田股份子公司）。

②钻孔设备：孔径缩小至50μm左右，相比于CO2激光钻，超快激光钻加工小孔能力更强，成为更优的解决方案，大族数控目前已有成功案例（超快激光钻与头部客户均有接触，实现批量化）。

③电镀设备：需控制铜厚均匀性在±5%以内，保证线路分布均匀、无凹陷，东威科技已经实现mSAP工艺VCP电镀设备（移载式VCP-红板、沪电）量产，另外水平三合一也拿到可观订单（沪电7条线）；另外东莞速远也有对应设备出货（洪田股份子公司）。

④成型设备：1.6T光模块PCB面积小结构复杂，对于分板成型提出更高需求，CCD锣机成为1.6T光模块PCB成型的优质方案，大族数控目前已有成功案例，与兴斐合作开发CCD锣机。

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